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熱阻測(cè)試系統(tǒng)
適用各種封裝外形的二極管、三極管、整流橋、SCR、MOSFET、IGBT的K系數(shù)測(cè)試和熱阻測(cè)試。
主要技術(shù)參數(shù)：
測(cè)試電流IM：1～200mA?？刂凭龋骸?%±0.1mA；
正向加熱電流IT：1～100A。控制精度：±1%±0.1A；
正向壓降VF測(cè)量范圍：0.0000V～8.0000V 。測(cè)量精度：±0.01%±0.0001V，顯示精度：0.0001V；
溫度測(cè)量范圍（TA、Ta、TC、TL）：10.0℃～199.9℃。測(cè)量精度：±0.2%±0.2℃，顯示精度：0.1℃；
測(cè)試取樣間隔時(shí)間：1～10S。分辯率：1S；
M與IT的轉(zhuǎn)換間隔時(shí)間：200uS～1000uS。分辯率：1uS；
可控硅IGT觸發(fā)電流：0～100mA。分辯率：0.1mA；
IGBT的Vge電壓：0～15V。分辯率：0.1V。
heating
高溫加熱
內(nèi)部加熱 保持不壞
真金不怕火煉，超強(qiáng)耐高溫
超級(jí)耐高溫
保持高品質(zhì)
內(nèi)部加熱原理
服務(wù)熱線
0571-8585 6333
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